DDR的接口頻率等于內(nèi)核頻率，而DDR2的接口頻率是內(nèi)核頻率的2倍。所以在內(nèi)核頻率一樣的情況下，DDR2的傳輸速率是DDR的兩倍。這是最本質(zhì)的區(qū)別。
另外DDR2的工作電壓從DDR的2.5V降低到1.8V，DQS信號(hào)變?yōu)椴榉中盘?hào)，芯片封裝變?yōu)锽GA封裝（DDR大多是用TSOP封裝的），這些變化都是為了適應(yīng)工作頻率升高的。
所以設(shè)計(jì)PCB時(shí)信號(hào)線長(zhǎng)度的匹配需要更嚴(yán)格，對(duì)阻抗連續(xù)的要求更高，電源上的紋波和噪聲也需要更低。
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